輸入紋波抑制

在可變頻率反激變換器中使用場效應晶體管

充電器廠家給大家分享MOSFET有效的額定電壓典型值只達到800V，因此在離線反激變換器中的使用受到一些限制。

對于220V電路，或對于使用倍壓技術的雙輸入電壓電路，其較大的整流直流電壓V接近380V。由于反激過電壓通常至少是該值的兩倍，使用800V功率MOSFET時其安全裕量不足。

然而目前更高電壓的MOSFET元器件已經以具有競爭力的價格出現在市場上，并且使用MOSFET并使反激電路工作于較高的頻率有很多優勢。這樣可減小繞線元件的尺寸和輸出電容器。圖給出了對較低電壓的功率MOSFET可以減小過電壓的更合適的電路。

LED燈電源適配器輸入紋波抑制

對于固定頻率，完全能量傳遞（不連續模式）反激變換器，電流型控制也提供了自動輸入紋波抑制。

如果變換器輸入電壓變化，集電極電壓的斜率及發射極電壓也變化。例如，如果輸入紋波電壓的上升沿引起集電極輸入電壓開始上升，則集電極和發射極電流的斜率也增加結果電流在短期內達到峰值，導通脈沖寬度在不須任何控制信號變化的情況下自動地減小。由于原邊電流峰值保持常值，轉換的功率和輸出電壓也將保持不變（不考慮輸入電壓的變化）。因此無需控制電路的任何作用，輸出電壓便可抑制輸入瞬間電壓的變化和紋波電壓。

通過考慮每個周期的輸入能量可進一步證明該效果。由于該電路工作于完全能量傳遞模式，導通結束時的能量是

式中，Lp=原邊電感；

lp=原邊電流峰值。

由于Lp和電流峰值Ip保持不變，轉換的功率也保持不變。就像對脈沖做出響應，該作用非常快，具有良好的輸入瞬態抑制性能。

更嚴格的測試揭示了在頻率不穩的二階自激振蕩系統中存在下降的二階效應這一事實，該作用是由于工作頻率隨著輸入電壓增加也增加而引起的，這種頻率變化削弱了紋波抑制。可是由于頻率的增加僅導致少量的輸入功率增加，故該影響非常小。在圖2。6。4所示電路中，由于基極驅動和跟蹤輸人變化的輔助電壓的變化，該影響可通過R，中驅動電流成分的增加和R中電流的增加得到補償。當強制驅動比接近1：10時，該補償是較佳的